A2G26H281-04SR3
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET RF FET, MOSFET
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
전압 - 평가됩니다:
125 V
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
소음 지수:
-
공급자의 장치 패키지:
NI-780S-4L
전압 - 테스트:
48V
Mfr:
NXP 미국 Inc.
빈도:
2.496GHz ~ 2.69GHz
게인:
14.2dB
패키지 / 케이스:
NI-780S-4L
경향 - 테스트:
150 마
전원 - 생산:
50W
기술:
라이드모스
전류 등급 (Amps):
-
기본 제품 번호:
A2G26
소개
RF 모스페트 48 V 150 mA 2.496GHz ~ 2.69GHz 14.2dB 50W NI-780S-4L
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주식:
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