BLP7G22-10Z
설명:
RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
분류:
TI 집적 회로
In-stock:
재고 중
결제 방법:
L/C, D/A, D/P, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램
Shipping Method:
LCL, 에어, FCL, 익스프레스
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET RF FET, MOSFET
제품 상태:
구식
장착형:
표면 마운트
전압 - 평가됩니다:
65 Ｖ
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
구성:
이중, 공통 소스
시리즈:
-
소음 지수:
-
공급자의 장치 패키지:
12-HVSON(6x4)
전압 - 테스트:
28 Ｖ
Mfr:
앰프리언 미국 Inc.
빈도:
2.14GHz
게인:
16dB
패키지 / 케이스:
12-VDFN 노출된 패드
경향 - 테스트:
110 마
전원 - 생산:
2w
기술:
라이드모스
전류 등급 (Amps):
-
기본 제품 번호:
BLP7
소개
RF 모스페트 28V 110mA 2.14GHz 16dB 2W 12-HVSON (6x4)
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주식:
In Stock
MOQ: