GTRA362002FC-V1-R0
설명:
200W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
분류:
TI 집적 회로
In-stock:
재고 중
결제 방법:
L/C, D/A, D/P, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램
Shipping Method:
LCL, 에어, FCL, 익스프레스
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET RF FET, MOSFET
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
전압 - 평가됩니다:
125 Ｖ
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
GaN
소음 지수:
-
공급자의 장치 패키지:
H-37248C-4
전압 - 테스트:
48V
Mfr:
울프스피드, Inc.
빈도:
3.4GHz ~ 3.6GHz
게인:
13.5dB
패키지 / 케이스:
H-37248C-4
경향 - 테스트:
140mA
전원 - 생산:
200W
기술:
HEMT
전류 등급 (Amps):
-
기본 제품 번호:
GTRA362002
소개
RF 모스페트 48V 140mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 13.5dB 200W H-37248C-4
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주식:
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