FJV3109RMTF
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 단일, 사전 바이어스 양극 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
100 마
제품 상태:
구식
트랜지스터형:
NPN - 미리 바이어싱시킨
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
250 마하즈
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
1mA, 10mA에 있는 300mV
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
40 V
공급자의 장치 패키지:
SOT-23-3
저항기 - 토대 (R1):
4.7k옴
Mfr:
반
경향 - 집전기 절단 (맥스):
100nA (ICBO)
전원 - 맥스:
200 mW
패키지 / 케이스:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
100 @ 1mA, 5V
기본 제품 번호:
FJV310
소개
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
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