NE3521M04-T2-A
설명:
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
분류:
TI 집적 회로
In-stock:
재고 중
결제 방법:
L/C, D/A, D/P, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램
Shipping Method:
LCL, 에어, FCL, 익스프레스
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET RF FET, MOSFET
제품 상태:
구식
구성:
엔-채널
전압 - 평가됩니다:
4V
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
소음 지수:
0.85dB
전압 - 테스트:
2 Ｖ
Mfr:
셀
빈도:
20GHz
게인:
11dB
패키지 / 케이스:
4-SMD, 플랫 리드
경향 - 테스트:
6mA
전원 - 생산:
-
기술:
GaAs HJ-FET
전류 등급 (Amps):
70mA
소개
RF 모스페트 2V 6mA 20GHz 11dB
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주식:
In Stock
MOQ: