PBRN113ET-QR
설명:
PBRN113ET-Q/SOT23/TO-236AB
분류:
TI 집적 회로
In-stock:
재고 중
결제 방법:
L/C, D/A, D/P, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램
Shipping Method:
LCL, 에어, FCL, 익스프레스
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 단일, 사전 바이어스 양극 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
600 마
제품 상태:
액티브
트랜지스터형:
NPN - 미리 바이어싱시킨
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
자동차, AEC-Q101
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
1.15V @ 8mA, 800mA
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
40 Ｖ
공급자의 장치 패키지:
TO-236AB
저항기 - 토대 (R1):
1 크옴스
Mfr:
넥스페리아 미국 Inc.
저항기 - 방출기 베이스 (R2):
1 크옴스
경향 - 집전기 절단 (맥스):
500nA
전원 - 맥스:
250mW
패키지 / 케이스:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
270 @ 800mA, 5V
기본 제품 번호:
PBRN113
소개
사전 편향된 양극 트랜지스터 (BJT) NPN - 사전 편향된 40 V 600 mA 250 mW 표면 마운트 TO-236AB
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주식:
In Stock
MOQ: