RN1111ACT(TPL3)
사양
				
						분류:
						
																				개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 단일, 사전 바이어스 양극 트랜지스터
					
						경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
						
																				80 마
					
						제품 상태:
						
																				액티브
					
						트랜지스터형:
						
																				NPN - 미리 바이어싱시킨
					
						장착형:
						
																				표면 마운트
					
						패키지:
						
																				테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
					
						시리즈:
						
																				-
					
						Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
						
																				250μA에서 150mV, 5mA
					
						전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
						
																				50 V
					
						공급자의 장치 패키지:
						
																				CST3
					
						저항기 - 토대 (R1):
						
																				10 크옴스
					
						Mfr:
						
																				토시바 반도체와 저장
					
						경향 - 집전기 절단 (맥스):
						
																				100nA (ICBO)
					
						전원 - 맥스:
						
																				100 mW
					
						패키지 / 케이스:
						
																				SC-101, SOT-883
					
						Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
						
																				120@1mA, 5V
					
						기본 제품 번호:
						
														RN1111
					소개
				
						Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
					                            
                      					
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