VS-GB75LA60UF
설명:
IGBT 모드 600V 109A 447W SOT227
분류:
TI 집적 회로
In-stock:
재고 중
결제 방법:
L/C, D/A, D/P, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램
Shipping Method:
LCL, 에어, FCL, 익스프레스
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 IGBT IGBT 모듈
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
109A
제품 상태:
구식
장착형:
섀시 마운트
패키지:
튜브
시리즈:
-
패키지 / 케이스:
SOT-227-4, 미니브로크
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스:
2V @ 15V, 35A
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
600 Ｖ
공급자의 장치 패키지:
SOT-227
Mfr:
비샤이 일반적 반도체 - 다이오드 부문
경향 - 집전기 절단 (맥스):
50µA
IGBT는 타이핑합니다:
NPT
전원 - 맥스:
447W
입력:
표준
작동 온도:
-40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
구성:
싱글
NTC 서미스터:
아니
기본 제품 번호:
GB75
소개
IGBT 모듈 NPT 단일 600 V 109 A 447 W 체시 마운트 SOT-227
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주식:
In Stock
MOQ: